参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | RQ1A070ZPTRn: 0 |
说明 | 通用MOSFET TSMT8 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 401 [库存更新时间:2025-04-08] |
工作温度 | 150°C(TJ) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.5V,4.5V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET类型 | P 通道 |
漏源电压(Vdss) | 12V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 7400pF @ 6V |
封装/外壳 | TSMT8 |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 7A(Ta) |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) |
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 58nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 7A,4.5V |